背刺三星台积电绕过2nm：直奔1.4nm去了

TSMC已经多次明确表示，3nm将在下半年投产。

可是，TSMC的3nm仍然延续了FinFET晶体管结构，而不是三星更难的GAA晶体管但TSMC显然走得更深，知道现在的工艺节点命名混乱，谁的成品率高显然谁就能领先

接下来，TSMC似乎也不想糊弄了，连2nm都绕了一圈，直奔1.4mm

BK报道称，TSMC的3nm R&D团队将于6月全面转向1.4nm节点的开发。

在去年的代工厂会议上，三星预计将在2025年量产2nm，但再次被TSMC称为背刺，走吧

至于同样雄心勃勃的英特尔，计划在2024年下半年生产1.8nm工艺产品一个与摩尔定律的辉煌有关的过程，军备竞赛，又拉开了序幕