三星称将在美国击败台积电4纳米产能，明年底开始大批量生产

，三星对其代工业务的大规模投资似乎终于得到了回报。根据 TrendForce 的数据，该公司的合同芯片制造部门正在赢得市场份额。

此外，三星有望于 2024 年底前在美国开始大规模生产采用 4 纳米级工艺技术的芯片，领先于台积电位于亚利桑那州的 Fab 21 工厂。

据《韩国先驱报》报道，三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 在首尔国立大学的一次特别演讲中表示，三星代工厂对其在半导体市场的地位持乐观态度，并准备比以前更积极地挑战台积电。

三星即将在美国得克萨斯州泰勒附近建立的晶圆厂，将是该公司多年来在美国的第一座领先生产设施，三星对其寄予厚望，将使其能够满足美国众多客户的需求，并挑战英特尔和台积电的代工厂服务。

报道称，如果一切按计划进行，三星 4 纳米级工艺技术的新工厂将于 2024 年底开始大批量生产。虽然这很难对代工市场产生立竿见影的影响，但三星可以说它凭借美国的 4 纳米工艺击败了台积电。

不过，三星代工仍将落后于英特尔代工服务，后者计划于 2024 年开始在其 20A节点上生产芯片，并于 2024 年至 2025 年开始在 18A(1.8 纳米级)节点上生产芯片。

TrendForce 数据显示，三星代工厂在代工芯片制造市场上的市场份额从第一季度的 9.9% 飙升至 2023 年第二季度的 11.7%，收入达到 32.34 亿美元，高于第一季度的 27.57 亿美元。虽然台积电保持了主导地位，但其市场份额下降至 56.4%，营收为 156.56 亿美元。

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